Röntgen-Diffraktometriesysteme

Das Universal-Röntgendiffraktometer SEIFERT Analytical X-Ray, XRD Space Universal

• Großer Probenraum, große Winkelbereiche, höchste Genauigkeit
• Pulver-, Textur- und Eigenspannungs- sowie Restaustenitanalysen
• optional mit Probenwechsler und externem Vorbereitungsplatz
• schnelle 0D- und energiedispersive, 1D-, 2D- Detektion
• Optionen für streifenden Strahleinfall, Reflektometrie, Dünnschichtanalysen und Hochauflösung
• Option mit Mikroskopkamera und Glaskapillaroptik für Mikrodiffraktion mit höchster lateraler Auflösung

Das Universal-Röntgendiffraktometer SEIFERT Analytical X-Ray XRD Charon Stress Analyzer

• XRD Charon S
  Prüfobjekte ca. bis zu 200 x 200 x 60mm³ (abhängig von der Austattung)
• XRD Charon SL
  Prüfobjekte ca. bis zu 300 x 300 x 80mm³ (abhängig von der Austattung)
• XRD Charon S-XL
  Prüfobjekte ca. bis zu 400 x 400 x 120mm³ (abhängig von der Austattung)

Vorteile

• Großer Probenraum, große Winklelbereiche, höchste Genauigkeit
• Ideal für Eigenspannungsanalysen, Restaustenitanalysen, einfache Pulver- und Texturanalysen
• Kassettensystem für Serienuntersuchungen von mehreren Proben
• In Fertigungs- und QS-Abläufe integrierbar

Das Universal-Röntgendiffraktometer SEIFERT Analytical X-Ray XRD Galaxy

Scannende monochromatische Systeme und stationäre polychromatische Laue-Anlagen zur Orientierung und Inspektion von Einkristallen, Wafern, Ingots und Turbinenschaufeln, Solarblöcken als stand-alone Anlagen oder in den Fertigungs- bzw. QS-Ablauf integriert:

• XRD Galaxy SCL
  zur Orientierungsbestimmung mit dem stationären Laue-Verfahren, Ingots, Turbinenschaufeln und Wafer, Punktanalyse oder flächig scannende Inspektion, Probenjustierung mit Hilfe von Mikroskop und Laser
• XRD Galaxy SCD
  Zur diffraktometrisch scannenden Orientierungsbestimmung mit höchster Genauigkeit, Ingots, Turbinenschaufeln und Wafer, Probenjustierung mit Hilfe von Mikroskop und Laser

Das Universal-Röntgendiffraktometer SEIFERT Analytical X-Ray XRD Sun

• Anlage für die schnelle in-situ Untersuchung von chemischen Reaktionen, Phasenumwandlungen und Schichtwachstum
• Schnelle Untersuchung von Umwandlungsvorgängen bei hohen Temperaturen und/oder gezielt eingestellten Reaktionsatmosphären